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ROHM開發出實現業界超低損耗的650V耐壓IGBT

中國上海,2026年6月25日——全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,開發出650V耐壓第4代IGBT*1,新產品非常適用于車載電動壓縮機、HV加熱器以及工業設備用變頻器等應用。作為支持車載應用的650V級產品,實現了業界超低導通損耗VCE(sat)=1.55V,同時具備出色的短路耐受能力*2,符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101*3

第4代650V耐壓IGBT 產品圖片

該產品通過改善工藝以及包括外圍結構在內的器件結構,提高了電流密度,同時降低了導通損耗和開關損耗。而且,與低損耗特性之間存在權衡關系的高短路耐受能力在Tj=25℃時也可達到7微秒(μs)。因此,新產品非常有助于應用產品進一步提高效率和可靠性。

產品陣容包括采用TO-247N封裝的“RGAxxTS65HR/RGAxxTS65EHR”12個型號和裸芯片形式的“SG83xxWN”10個型號。另外,ROHM也正在開發TO-247-4L封裝的“RGAxxTR65HR/RGAxxTR65EHR”12個型號的產品。

本系列產品已于2026年5月起以月產100萬個的規模投入量產(樣品價格1,300日元/個,不含稅)。TO-247N封裝產品也支持網售。此外,ROHM還提供各種設計模型和電路設計所需的資料,用戶可從ROHM官網下載。

ROHM計劃今后進一步擴展同一封裝形式的型號陣容,并開發采用TO-263L封裝和頂部散熱(TSC:Top-Side Cooling)封裝的小型且可表面貼裝的IGBT產品。致力于通過擴充高性能的IGBT產品陣容,助力汽車和工業設備應用實現高效驅動及小型化。

<開發背景>

隨著電動汽車向更高電壓方向發展,在主驅逆變器等大功率應用中,高效SiC器件加速普及;而在車載電動壓縮機、HV加熱器等功率容量較小的輔助設備中,則廣泛采用650V耐壓的IGBT作為開關器件。另外,在工業設備領域,以電機和壓縮機等為主的應用中也廣泛采用硅基IGBT,預計未來相應的需求將持續增長。

這類應用需要更節能和更小的外殼尺寸,同時對功率器件也有提高可靠性、更小型、更高效的強烈需求。特別是對于變頻器和加熱器電路而言,在短路時從檢測到過電流到切斷電流的時間內的短路耐受能力至關重要。在這種背景下,ROHM通過器件結構等的改進,開發出既支持高電壓,又同時實現了低損耗特性和出色短路耐受能力的第4代IGBT。

<產品陣容>

分立產品

產品型號 數據表 集電極-
發射極電壓
VCES
[V]
集電極
電流
IC(TC=100℃)
[A]
導通
損耗
VCE(sat)(Typ.)
[V]
短路
耐受時間
TSC (Tj=25℃)
[μs]
內置
快速恢復
二極管
工作
溫度
范圍
Tj [℃]
符合
AEC-Q101
標準
封裝
NewRGA60TS65HR PDF 650 35 1.55 7 - -40 to +175 Yes TO-247N 封裝
TO-247N
(16.0×21.0×5.0mm)
NewRGA60TS65EHR PDF
NewRGA80TS65HR PDF 44 -
NewRGA80TS65EHR PDF
NewRGA00TS65HR PDF 52 -
NewRGA00TS65EHR PDF
NewRGAX2TS65HR PDF 62 -
NewRGAX2TS65EHR PDF
NewRGAX5TS65HR PDF 74 1.60 -
NewRGAX5TS65EHR PDF
NewRGAY0TS65HR PDF 88 1.65 -
NewRGAY0TS65EHR PDF


產品型號 數據表 集電極-
發射極電壓
VCES
[V]
集電極
電流
IC(TC=100℃)
[A]
導通
損耗
VCE(sat)(Typ.)
[V]
短路
耐受時間
TSC (Tj=25℃)
[μs]
內置
快速恢復
二極管
工作
溫度
范圍
Tj [℃]
符合
AEC-Q101
標準
封裝
☆ RGA60TR65HR - 650 35 1.55 7 - -40 to +175 Yes TO-247-4L 封裝
TO-247-4L
(16.0×23.45×5.0mm)
☆ RGA60TR65EHR -
☆ RGA80TR65HR - 44 -
☆ RGA80TR65EHR -
☆ RGA00TR65HR - 52 -
☆ RGA00TR65EHR -
☆ RGAX2TR65HR - 62 -
☆ RGAX2TR65EHR -
☆ RGAX5TR65HR - 74 1.60 -
☆ RGAX5TR65EHR -
☆ RGAY0TR65HR - 88 1.65 -
☆ RGAY0TR65EHR -

☆:開發中


裸芯片產品

產品型號 數據表 集電極-
發射極電壓
VCES
[V]
集電極
電流
IC(TC=100℃)
[A]
導通
損耗
VCE(sat)(Typ.)
[V]
短路
耐受時間
TSC (Tj=25℃)
[μs]
芯片尺寸
X
[mm]
Y
[mm]
厚度
[μm]
NewSG8351WN PDF 650 20 1.55 7 3.08 3.08 75
NewSG8352WN PDF 25 3.10 3.48
NewSG8353WN PDF 30 3.52 3.52
NewSG8359WN PDF 40 3.74 4.10
NewSG8355WN PDF 50 4.20 4.39
NewSG8356WN PDF 60 3.90 5.48
NewSG8358WN PDF 75 4.50 5.70
NewSG8357WN PDF 100 5.70 5.70
☆ SG8360WN - 150 6.82 6.82
☆ SG8361WN - 200 7.75 7.75

<應用示例>

◇車載電動壓縮機
◇車載HV加熱器(PTC加熱器,冷卻液加熱器)
◇工業設備用變頻器

<支持信息>

ROHM官網提供各種電路設計所需的資料,包括可通過仿真忠實再現產品電氣特性的SPICE模型,以及電路仿真用的PLECS模型等,均可從官網下載。更多詳情請參閱Field Stop Trench IGBT產品信息

<關于“EcoIGBT?”品牌>

EcoIGBT?是ROHM開發的非常適用于功率元器件領域對耐壓能力要求高的應用的IGBT,是包括器件和模塊在內的品牌名稱。從晶圓生產到制造工藝、封裝和品質管理方法,ROHM一直在自主開發功率元器件產品升級所必需的技術。

EcoIGBT? Logo

?EcoIGBT?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

<術語解說>

*1) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)
同時具有MOSFET的高速開關特性和雙極晶體管的低導通損耗特性的功率晶體管。
*2) 短路耐受能力
當負載等短路時,功率元器件能夠承受而不至于損壞的時間。
*3) 車規標準“AEC-Q101”
AEC是Automotive Electronics Council的縮寫,是大型汽車制造商和美國大型電子元器件制造商聯手制定的汽車電子元器件的可靠性標準。Q101是適用于分立半導體元器件(晶體管、二極管等)的標準。