什么是晶體管？
什么是晶體管？
- 晶體管的功能
晶體管具有放大和開關電信號的功能。
- 概略
晶體管按結構、容許功率、集成度和形狀的分類進行介紹。例如，從工作結構來看，大致可以分為雙極型和FET兩種類型。
- 晶體管
介紹反向電流、容許損耗和增益帶寬積等概念。增益帶寬積是指晶體管能夠工作的極限頻率。
- 數字晶體管的原理
數字晶體管的GI和晶體管的hFE都表示發射極接地直流電流放大系數。數字晶體管是在普通晶體管上連接2個電阻的一種晶體管。
- MOSFET特性
介紹寄生電容和溫度特性、開關及其溫度特性以及VGS(th)（閾值）相關的內容。
- 導通電阻
使MOSFET工作時漏極和源極間的阻值稱為“導通電阻”。導通電阻值越小，工作時的功率損耗越少。
- 總柵極電荷（Qg）
總柵極電荷（Qg）是指為導通MOSFET而需要注入到柵極電極的電荷量。該值越小，開關損耗越少，從而可以實現高速開關。
- 安全使用晶體管的選定方法
介紹根據施加到器件的電壓和電流波形計算平均功率的方法。
- 元件溫度計算方法
結溫可根據環境溫度和功耗進行計算。即使施加相同的功率，當環境溫度上升時，結溫也會隨之上升，因此能夠施加的功率會變小。
- 負載開關
負載開關導通的瞬間，可能會暫時流過比穩態電流大得多的電流。這種流過大電流的現象稱作“浪涌電流”。
- 常見問題
