何謂導通電阻？

MOSFET工作（啟動）時，漏極和源極間的阻值稱為導通電阻 （RDS(ON)）。
數值越小，工作時的損耗（功率損耗）越小。

關于導通電阻的電氣特性

晶體管的消耗功率用集電極飽和電壓 （V_CE(sat)） 乘以集電極電流（I_C）表示。

（集電極損耗P_C））＝（集電極飽和電壓V_CE(sat) ）x（集電極電流I_C）

MOSFET的消耗功率是用漏極源極間導通電阻 （R_DS(ON)） 計算。
MOSFET消耗的功率P_D用MOSFET自身具有的導通電阻乘以漏極電流（I_D)的平方表示。

（功率P_D）＝（導通電阻R_DS(ON) ） x （漏極電流I_D）²

此功率將變成熱量散發出去。
MOSFET的導通電阻一般在Ω極以下，與一般的晶體管相比，消耗功率小。即發熱小，散熱對策簡單。

如左上圖所示，柵極源極間電壓越高，導通電阻越小。另外，柵極源極間電壓相同的條件下，導通電阻因電流不同而不同。計算功率損耗時，需要考慮柵極源極間電壓和漏極電流，選擇適合的導通電阻。
另外，如右上圖所示，導通電阻因溫度變化而變化，因此需要注意這一特性。

導通電阻比較

一般MOSFET的芯片尺寸（表面面積）越大，導通電阻越小。
下圖顯示了不同尺寸的小型封裝條件下，羅姆最小導通電阻值的比較。
封裝尺寸越大可搭載的芯片尺寸就越大，因此導通電阻越小。
羅姆針對各種不同的封裝尺寸，備有低導通電阻的產品。
選擇更大尺寸的封裝，導通電阻會更小。

各封裝的搜索頁請點這里

DFN0604 (0.6x0.4mm)

DFN1006 (1.0x0.6mm)

DFN2020 (2.0x2.0mm)