如何用好GaN功率器件
要想激發(fā)出GaN HEMT高速開關(guān)的性能，需要具備能夠得心應(yīng)手的技術(shù)，這一點非常重要。具體而言，是需要超高速驅(qū)動?xùn)艠O驅(qū)動器IC和支持高速脈沖控制的控制器IC。
了解決這個課題，ROHM推出了將GaN HEMT和柵極驅(qū)動器IC一體化封裝的“Power Stage IC”產(chǎn)品。
使用Power Stage IC，無需進行繁瑣的驅(qū)動調(diào)整，可以輕松替換Si MOSFET。
Power Stage IC概要
GaN HEMT和柵極驅(qū)動用驅(qū)動器IC一體化封裝
無需進行繁瑣的驅(qū)動調(diào)整，可更大程度地激發(fā)出GaN HEMT的性能
減少相關(guān)元器件的數(shù)量
半導(dǎo)體制造商ROHM生產(chǎn)的Power Stage IC中內(nèi)置了相關(guān)的外圍元器件，有助于減少相關(guān)元器件的數(shù)量和安裝面積并降低安裝成本。
