何謂半導體存儲器？ 元器件原理＜SRAM＞
存儲單元構成
- 由6個晶體管單元構成
- 由4個晶體管單元（高電阻負載型單元）構成
數據的寫入方法
＜"1" 時＞
- Word線電位為 high
- 給予Bit線的電位(D=low, D=high) → 確定觸發器的狀態
- Word線電位為 low
數據的讀取方法
＜"1" 時＞
- 使Word線電位 off
- 對Bit線預充電(D, D與D相同的電位)
- Word線電位為 high
- Bit線變為 low、high的狀態
- 用感測放大器進行增幅
通過觸發器電路存儲"1"、"0"
