什么是GaN功率器件?

GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）是一種化合物半導體，使用這種GaN的晶體管是被稱為“GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor：高電子遷移率晶體管”的功率器件。
與目前主流的半導體材料Si（Silicon：硅）相比，采用GaN這種材料的功率器件具有導通損耗少（低導通電阻）和高速開關性能優異的特點，能夠滿足市場對于提高功率轉換效率和小型化的需求。
SiC（Silicon Carbide：碳化硅）功率器件支持在高電壓條件下高效工作。GaN HEMT在中等耐壓的高頻范圍已得到日益廣泛的應用。
為了更好地激發出GaN HEMT的性能，ROHM提供將GaN HEMT和柵極驅動器IC一體化封裝的Power Stage IC，而且正在計劃開發在此基礎上將控制IC也一體化封裝的產品。
關于應用，適用于通信基站和數據中心的服務器電源、工業設備用的電機以及AC適配器等眾多應用。

Si/GaN/SiC晶體管的分棲共存

功率器件的器件結構和所使用的材料（Si/GaN/SiC）不同，適用的功率容量和工作頻段也不同。
一直以來Si是半導體器件的主要材料，但由于市場對高頻工作和大功率的需求，GaN和SiC開始受到關注。
與Si相比，GaN和SiC的帶隙更寬，在耐壓、熱導率和電子遷移率方面更具優勢，可滿足對半導體材料的要求——在高溫、大電流、高電壓和高頻率的環境下工作。
另外，SiC MOSFET在高電壓范圍和大電流條件下的特性表現優異，而GaN HEMT則在中等耐壓范圍具有出色的介電擊穿強度和電子遷移率，可實現低導通電阻和高速開關（高頻工作）。
因此，GaN HEMT在中等耐壓高頻范圍的應用日益廣泛。

功率器件的應用范圍